一、 概述 

     TDS-C系列側(cè)裝式磁翻柱液位計(jì)，是本廠引進(jìn)、吸收國外同類產(chǎn)品，并加以吸收、消化、提高，可用于各種塔、罐槽、球形容器和熔爐等設(shè)備的介質(zhì)液位檢測。該系列磁性液位計(jì)可以做到高密封，防泄漏和適應(yīng)高壓高溫、腐蝕性條件下的液位測量，具有可靠的安全性，它彌補(bǔ)了玻璃板（管）液位計(jì)指示不清晰，易破碎的不足，不受高、低溫度劇變的影響，不需多組液壓計(jì)的組合。全過程測量無盲區(qū)，顯示醒目、讀數(shù)直觀，且測量范圍大。特別是現(xiàn)場指示部分，

   側(cè)裝式磁翻柱液位計(jì)的顯著特點(diǎn)是液體介質(zhì)與指示器完全隔離，所以在任何情況下都非常安全、可靠、耐用，而且各種型號(hào)的液位計(jì)配上液位報(bào)警、控制開關(guān)，可實(shí)現(xiàn)液位或界位的上、下限越位報(bào)警，控制或連鎖；配上靜壓式液位變送器或干簧—電阻式液位變送器，可將液位。界位信號(hào)轉(zhuǎn)換成二線制4-20mADC標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)，實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)距離指示、檢測、記錄與控制。該系列側(cè)裝式磁翻柱液位計(jì)可廣泛適用于水電、火電、石油、化工冶金環(huán)保、船舶、建筑、食品等各行各業(yè)生產(chǎn)過程中的液位測量與控制。

  二、產(chǎn)品特點(diǎn) 

    適合容器內(nèi)液體介質(zhì)的液位，界位的測量。除現(xiàn)場指示，還可配遠(yuǎn)傳變速器、報(bào)警開關(guān)、控制開關(guān)，檢測功能齊全。 

   指示新穎，讀數(shù)直觀、醒目，觀察指示器的方向可根據(jù)用戶需要改變角度。 測量范圍大，不受貯槽高度限制。指示機(jī)構(gòu)與被測介質(zhì)完全隔離，因而密封性好，可靠性高，使用安全。 

結(jié)構(gòu)簡單，安全方便，維護(hù)費(fèi)用低。耐腐蝕、無需電源、防爆。

 三、 主要技術(shù)參數(shù) 

  1、測量范圍：300～15000mm 

  2、準(zhǔn)確度：±10mm, ±16mm 

  3、翻柱直徑：10mm,16mm 

  4、工作壓力：≤2.5Mpa（ 2.5Mpa以上可另行設(shè)計(jì)）防腐型≤.6Mpa 

  5、介質(zhì)密度：≥0.45g/cm3 

  6、介質(zhì)密度差：≥0.15g/cm3（測量界位） 

  7、介質(zhì)密度：- 20°+250°C（特殊要求可達(dá)450°） 

  8、介質(zhì)粘度：≤0.4PaS,對(duì)于粘度大的介質(zhì)或溫度低時(shí)易結(jié)晶的介質(zhì)，可根據(jù)用戶要求選用加熱型夾

套式液位計(jì)。 

  9、環(huán)境振動(dòng)：頻率≤25Hz，振幅≤0.5mm 

  10、跟隨速度：≤0.08m/s 

   連接法蘭：采用化工部1998年最新頒布的HG20592～20635-97法蘭標(biāo)準(zhǔn)，若采用其他法蘭標(biāo)準(zhǔn)

（如GB、ANSI、DIN等標(biāo)準(zhǔn)）請(qǐng)用戶在訂貨時(shí)注明。 

    對(duì)于高壓型側(cè)裝式磁性液位計(jì)連接法蘭采用HG20595-97帶頸對(duì)焊連接法蘭DN25、PN6.0或PN10Mpa，密封面形式突面或凸面，如有特殊要求可在訂貨時(shí)注明。 

   遠(yuǎn)傳配套儀表的主要技術(shù)參數(shù)請(qǐng)參閱本樣本有關(guān)內(nèi)容。 如有特殊要求可在訂貨時(shí)洽談。 

四、選型表

TDS-C

TDS-CFZ磁翻柱液位變送器

P

排污閥

B

1Cr18Ni9Ti 或304SS

L

316SS 或316L

20

法蘭通徑DN20 或3/4＂

32

法蘭通徑DN32 或1-1/4＂

25

法蘭通徑DN25 或1＂

40

法蘭通徑DN40 或1-1/2＂

50

法蘭通徑DN50 或2＂

A

法蘭公稱壓力1.0MPa

D

法蘭公稱壓力4.0MPa

B

法蘭公稱壓力1.6MPa

E

法蘭公稱壓力6.3MPa

C

法蘭公稱壓力2.5MPa

F

法蘭公稱壓力10MPa

G

法蘭公稱壓力16MPa

1

-20～80℃

3

-20～200℃

2

-20～130℃

4

-20～400℃

B

BK-1 型凸輪磁驅(qū)動(dòng)式液位開關(guān)

C

CK-1 型干簧式液位開關(guān)

□

開關(guān)數(shù)，加SX上下限，加S上限，加X下限

O

不配變送器

A

輸出4～20mA 二線制

A1

輸出4～20mA 二線制，加帶數(shù)顯儀表

O

普通型

D

隔爆型

E

本安型

□

測量范圍（中心距）mm

□

介質(zhì)密度（g/cm3）

□

工作壓力MPa

型號(hào)  帶排污閥   材料   法蘭 法蘭壓力 溫度  報(bào)警   報(bào)警點(diǎn)數(shù) 輸出  防爆 量程   介質(zhì)  工作壓力 TDS-C -  P      B    25     B    1    C     2SX    R    0  1000   1     1    ( 例 )

例：表示TDS-CFZ磁翻柱液位變送器，帶排污閥，接觸液體材料不銹鋼1Cr18Ni9Ti或304，法蘭盤通徑DN25，法蘭公稱壓力1.6MPa，介質(zhì)溫度-20～80℃，報(bào)警采用CK-1 型干簧式液位開關(guān)，2個(gè)(上下限)報(bào)警，無變送輸出信號(hào)，普通型，測量范圍（中心距）1000mm，工作壓力1MPa

儀表選型說明及注意事項(xiàng)

   ●  選型時(shí)，先按所需要對(duì)照表中所列舉的主要技術(shù)參數(shù)選定系列型號(hào)后

   ● 過程連接法蘭均采用化工部HG管法蘭標(biāo)準(zhǔn)制造。特殊要求可在訂貨時(shí)洽談。

   ● 防腐型液位計(jì)公稱壓力≤0.6MPa。

   ●蒸汽夾套加熱型液位計(jì)安裝法蘭同普通型。加熱夾套連接形式為G3/4”內(nèi)螺紋接頭或DN20，PN1.0MPa平面法蘭，訂貨時(shí)任選。

四、安裝、調(diào)整、使用及保護(hù)

    液位信號(hào)計(jì)必須垂直安裝，通過截止閥(或直通)與壓力容器相連通。連接后，打開連通管組件的下法蘭蓋，檢查并要求磁浮子的均壓導(dǎo)管的開口必須在浮子上端(孔口朝上)，調(diào)整好磁珠向外的正確指示方向，并用木桿輕輕推動(dòng)浮子在連通管內(nèi)上下運(yùn)動(dòng)，磁珠也相應(yīng)跟隨上下移動(dòng)，磁記憶開關(guān)根據(jù)使用方便情況，可與磁珠成90°、180°安裝，并觀察磁記憶開關(guān)能正確動(dòng)作發(fā)訊并記憶，然后固定好下法蘭。

壓力容器送入工作介質(zhì)，并使液位上升到正常液面，注意此時(shí)上、下越限報(bào)警的磁記憶開關(guān)最好不處在記憶狀態(tài)(接圖示接線檢查)，繼續(xù)上升液位到上限報(bào)警液面時(shí)，調(diào)整上磁記憶開關(guān)位置，使開關(guān)動(dòng)作并發(fā)出上限報(bào)警信號(hào)。液面再繼續(xù)上升時(shí)，開關(guān)應(yīng)處于報(bào)警記憶狀態(tài)，然后使液面下降，當(dāng)回復(fù)到上限報(bào)警液面以下稍許時(shí)，上磁憶開關(guān)應(yīng)復(fù)歸為非記憶狀態(tài)，液位繼續(xù)下降到下限報(bào)警液面時(shí)，調(diào)整下磁記憶開關(guān)位置，使開關(guān)動(dòng)作發(fā)出下限報(bào)警信號(hào)。液位繼續(xù)下降，開關(guān)也應(yīng)保持報(bào)警記憶狀態(tài)。反復(fù)動(dòng)作數(shù)次后，接點(diǎn)達(dá)到動(dòng)作要求，然后將磁記憶開關(guān)加以固定。

液位信號(hào)計(jì)在使用中,應(yīng)注意免遭重物撞擊和強(qiáng)磁性物體接近而造成誤動(dòng)作。

液位信號(hào)計(jì)如用截止閥與壓力容器連結(jié)，應(yīng)注意當(dāng)壓力容器升壓時(shí)，首先打開截止閥，防止壓力容器升壓后，再突然打開閥門，而造成浮子損壞。

液位信號(hào)計(jì)應(yīng)裝箱發(fā)運(yùn)，元件暫時(shí)不用時(shí)，應(yīng)存放在庫房內(nèi)，并妥善保管。

用戶在規(guī)定的保管、運(yùn)輸和遵守使用規(guī)則下，從制造廠發(fā)貨之日起18個(gè)月內(nèi)，因制造不良而發(fā)生損壞或不能正常作用，制造廠負(fù)責(zé)修理或更換。

注意事項(xiàng)：

    因運(yùn)輸或其他振動(dòng)，可能引起磁記憶開關(guān)接點(diǎn)狀態(tài)錯(cuò)亂，在接線前，用磁鋼在連通管外上下拉動(dòng)浮子，模擬動(dòng)作一次，使磁記憶開關(guān)接點(diǎn)狀態(tài)恢復(fù)正常。然后再接線、投入使用。